SS1D26C2431A芯片是一款GaAs MMIC功率放大器芯片，采用了GaAs的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作，该芯片的工作频率为24~31GHz，在VD=6V，ID=2400mA的直流供电条件下，实现了36 dBm的饱和输出功率和23 %的功率附加效率以及15.5 dB的功率增益。

SS2D33C1315A芯片是一款GaN MMIC高功率放大器芯片，采用GaN 的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作。该芯片的工作频率为13.5GHz~15GHz，在VD=24V，ID=1.8A的静态直流供电的条件下，实现了43dBm的饱和输出功率和22dB的功率增益以及35%的功率附加效率，在连续波模式下工作。

SS2D23C1314A芯片是一款GaN MMIC高功率放大器芯片，采用GaN的高电子迁移率品体管工艺生产制作。该芯片的工作频率为13.5GHz~15.5GHz,在VD=28V，ID=2800mA的静态直流供电的条件下实现了45dBm的饱和输出功率和21dB的功率增益以及28%的功率附加效率，在连续波模式下工作。

SS1D22C1215A芯片是一款GaAs MMIC功率放大器芯片，采用了GaAs的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作，该芯片的工作频率为12.7~15.4GHz，在VD=6V，ID=1850mA的直流供电条件下，实现了37 dBm的饱和输出功率和38 %的功率附加效率以及23 dB的功率增益。

SS1D32C915A芯片是一款GaAs MMIC功率放大器芯片，采用了GaAs的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作，该芯片的工作频率为9~15GHz，在VD=6V，ID=680mA的直流供电条件下，实现了31 dBm的饱和输出功率和28 %的功率附加效率以及28 dB的功率增益。

SS1D31C811A芯片是一款GaAs MMIC功率放大器芯片，采用了GaAs的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作，该芯片的工作频率为8~11GHz，在VD=8V，ID=530mA的直流供电条件下，实现了33 dBm的饱和输出功率和36 %的功率附加效率以及24.5 dB的功率增益。

SS1D03C56A芯片是一款GaAs MMIC功率放大器芯片，采用了GaAs的高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺生产制作，该芯片的工作频率为5~6GHz，在VD=6V，ID=1500mA的直流供电条件下，实现了36.5 dBm的饱和输出功率和38 %的功率附加效率以及39.4 dB的功率增益。

SC2D04C48A芯片是一款性能优良的 4～8GHz 高功率放大器，使用 0.25um 栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺制造而成。该芯片通过背面金属经通孔接地。该芯片为双电源工作，漏极电压 VD=36V 可在 4～8GHz 常温下提供 49.9dBm的输出功率。该芯片主要用于收发组件、无线通讯等。